ДЕМБЕРА ЭФФЕКТ

Возникновение электрич. поля и эдс в однородном полупроводнике при его неравномерном освещении. В частности, эдс возникает между освещаемой и неосвещаемой поверхностями ПП при сильном поглощении света в нём (диффузионная фотоэдс). Открыт нем. физиком X. Дембером (Н. Dember; 1931); теория разработана Я. И. Френкелем (1933), нем. физиком X. Фрёлихом (1935), Л. Д. Ландау и Е. М. Лифшицем (1936). При неравномерном освещении в ПП возникают градиент концентрации и, следовательно, диффузия неравновесных эл-нов и дырок от освещаемого участка в сторону неосвещаемого. Т. к. коэфф. диффузии эл-нов и дырок различны, то в образце появляется электрич. поле. Эдс Дембера (U), напр. в ПП n-типа при сильном освещении, равна:

где Dэ и Dд — коэфф. диффузии эл-нов и дырок, mэ и mд — их подвижности, d — толщина образца, о — уд. электропроводность.

Фотоэдс Д. э. мала и практич. применения не имеет.